平衡磁控濺射原理
深圳市賡旭光電專業(yè)濾光片生產(chǎn)廠家,歡迎定制采購!
平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射,是在陰極 靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強度相等或相近 的永磁體或電磁線圈,在靶材表面形成與電場方 向垂直的磁場。沉積室充入一定量的工作氣體, 通常為Ar,在高壓作用下Ar 原了電離成為Ar+ 離子和電子,產(chǎn)生輝光放電,Ar+ 離子經(jīng)電場加速 轟擊靶材,濺射出靶材原子、離子和二次電子等。 電子在相互垂直的電磁場的作用下,以擺線方式 運動,被束縛在靶材表面,延長了其在等離子體 中的運動軌跡,增加其參與氣體分子碰撞和電離 的過程,電離出更多的離子,提高了氣體的離化 率,在較低的氣體壓力下也可維持放電,因而磁 控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力,也同時提 高了濺射的效率和沉積速率。
但平衡磁控濺射也有不足之處,賡旭光電小編舉例跟你詳細講解下,由于 磁場作用,輝光放電產(chǎn)生的電子和濺射出的二次 電子被平行磁場緊緊地約束在靶面附近,等離子 體區(qū)被強烈地束縛在靶面大約60 mm 的區(qū)域,隨 著離開靶面距離的增大,等離子濃度迅速降低, 這時只能把工件安放在磁控靶表面50~100 mm 的范圍內(nèi),以增強離子轟擊的效果。這樣短的有 效鍍膜區(qū)限制了待鍍工件的幾何尺寸,不適于較 大的工件或裝爐量,制約了磁控濺射技術的應 用。且在平衡磁控濺射時,飛出的靶材粒子能量 較低,膜基結(jié)合強度較差,低能量的沉積原子在 基體表面遷移率低,易生成多孔粗糙的柱狀結(jié)構 薄膜。提高被鍍工件的溫度固然可以改善膜層的 結(jié)構和性能,但是在很多的情況下,工件材料本 身不能承受所需的高溫。
非平衡磁控濺射的出現(xiàn)部分克服了以上缺 點,將陰極靶面的等離子體引到濺射靶前200~ 300 mm 的范圍內(nèi),使基體沉浸在等離子體中,如 圖1 所示。這樣,一方面,濺射出來的原子和粒子沉積在基體表面形成薄膜,另一方面,等離子體 以一定的能量轟擊基體,起到離子束輔助沉積的 作用,大大的改善了膜層的質(zhì)量。
940nm窄帶濾光片
尺寸:1x1mm~80x80mm或φ4~79mm產(chǎn)品光學指標;中心波長;940nm中心波長透過率;>90%半帶寬;30nm
LP430nm長波通濾光片
光學指標:透過波段:425nm-1100nm最低透過率:T>94%中心波長:420nm±3截止波段:350nm-405nm
LP780nm長波通濾光片
光學指標: 透過波段:785nm-1100nm最低透過率:T>88% 中心波長:780nm±3 截止波段:400nm-750nm
800nm短波通濾光片
中心波長:800+/-5nm透過波段:350-790nm截止波長:810-1100nm峰值透過率 :>90%( 按客戶需求)產(chǎn)品尺寸 :( 按客戶需求 )截止深度 :>OD4-OD6 UV-NIR產(chǎn)品材質(zhì) :光學級別類玻璃( K9,BK7,B27…